类型：数字隔离器
　　通道数：2
　　方向：双向
　　隔离电压：5000Vrms
　　数据速率：150Mbps
　　传播延迟：典型值45ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±100kV/μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　供电电压：VCC1/VCC2 = 2.7V 至 5.5V
　　封装类型：SOIC-8 Wide Body
　　爬电距离：>8mm
　　介电强度：6000Vpk
　　低功耗：每通道典型电流消耗约1.2mA @ 1Mbps
　　隔离寿命：>60年

GS7502Q3-R的核心优势在于其基于纯硅工艺的电容隔离架构，取代了传统光耦中易老化且响应缓慢的发光二极管与光敏元件组合。这种结构不仅显著提升了信号传输的速度和精度，还从根本上消除了光耦因LED衰减导致的性能下降问题，从而保证了器件在整个生命周期内的稳定性与一致性。其高达150Mbps的数据速率使其能够胜任高速数字通信场景，如SPI、UART和I2C接口的隔离，远超大多数标准光耦的性能上限。
　　该器件具备出色的抗干扰能力，共模瞬态抗扰度达到±100kV/μs，意味着即使在电机驱动或开关电源等存在剧烈电压波动的应用中，也能有效防止误触发或数据错误，保障系统的安全运行。内部集成的电磁干扰（EMI）滤波机制进一步增强了信号完整性。此外，GS7502Q3-R支持双电源独立供电，输入侧和输出侧可在2.7V至5.5V范围内灵活配置，便于连接不同逻辑电平的MCU、DSP或FPGA，实现无缝接口匹配。
　　在可靠性方面，该芯片通过了UL、CSA、VDE等多个国际安全认证标准，满足IEC 60747-17关于增强隔离的要求。其SOIC-8宽体封装设计提供了大于8mm的爬电距离和电气间隙，适应高海拔及污染等级较高的使用环境。相比传统光耦动辄数十毫秒的开启/关闭时间，GS7502Q3-R的典型传播延迟仅为45ns，极大地提高了系统响应速度。同时，静态功耗极低，特别适合对能效有严格要求的绿色电子产品设计。整体而言，GS7502Q3-R代表了现代隔离技术的发展方向，是工业4.0、新能源、电动汽车等领域中实现高性能、长寿命、低维护成本系统的理想选择。

GS7502Q3-R广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。典型应用场景包括工业PLC模块中的数字输入/输出隔离，用于保护控制器免受现场传感器或执行器端高压冲击的影响；在开关模式电源（SMPS）中作为反馈环路的隔离元件，替代光耦以提升动态响应和长期稳定性；在电机驱动器中实现PWM信号的隔离传输，确保控制信号准确无误地送达功率级电路；还可用于隔离式ADC/DAC接口、RS-485通信收发器、电池管理系统（BMS）、光伏逆变器以及医疗设备中的信号隔离单元。由于其高集成度和兼容性，也常被用于替代老化的光耦器件进行产品升级或国产化替代项目。

HCPL-2631
　　ACPL-M61T
　　Si8620-A-ISR
　　ISO7721DR