PQ1CZ31H2ZP 时间：2025/8/28 7:03:47 阅读：8

PQ1CZ31H2ZP 是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）制造的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理应用。该器件属于N沟道增强型MOSFET，采用高性能硅技术，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性。PQ1CZ31H2ZP适用于各类电源转换器、DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路，能够在高频率下稳定工作，从而提高系统效率并减少功率损耗。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：60A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：最大4.5mΩ（在Vgs=10V）
　　封装类型：H2ZP（双排散热封装）
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

PQ1CZ31H2ZP MOSFET具备多项高性能特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，使电流流动更加顺畅，从而提升开关性能和热稳定性。
　　其次，PQ1CZ31H2ZP采用了H2ZP封装，这种封装设计具有优异的散热性能，能够有效降低器件在高电流工作下的温度上升，提高长期工作的可靠性和稳定性。此外，其封装尺寸紧凑，适合在高密度PCB设计中使用。
　　该MOSFET支持高达60A的连续漏极电流，在高温环境下仍能保持稳定性能，适用于高功率应用。其栅极驱动电压范围宽广（通常为10V驱动），可兼容多种控制IC的驱动能力，便于设计人员进行系统优化。
　　PQ1CZ31H2ZP还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了器件在严苛工作条件下的耐用性。其高耐压特性（30V漏源电压）使其适用于多种电源管理场景，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等。

应用

PQ1CZ31H2ZP MOSFET广泛应用于各种电源管理系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具、工业电机控制、电源适配器以及车载电子设备等。其优异的导通特性和高电流承载能力使其成为高效率电源转换器的理想选择。此外，由于其出色的热性能和可靠性，该器件也常用于要求高稳定性和长寿命的工业控制设备和自动化系统中。