类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 (Vds)：20V
　　栅源电压 (Vgs)：±12V
　　连续漏极电流 (Id)：4A
　　导通电阻 (Rds(on))：28mΩ（在 Vgs=4.5V 时）
　　功率耗散：1.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOP-8

GS6152-INTE3Z 具有多个关键特性，使其在电源管理和开关应用中表现出色。首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）为 28mΩ，这在需要高效能和最小功耗的应用中非常关键。由于其低 Rds(on)，GS6152-INTE3Z 可以减少导通损耗，提高整体系统效率。其次，该 MOSFET 的栅源电压范围为 ±12V，使其在多种控制电路中具有广泛的兼容性。此外，其漏源电压为 20V，适用于中等电压范围的应用。GS6152-INTE3Z 的连续漏极电流为 4A，能够支持中高功率负载。其采用先进的沟槽技术，进一步优化了性能，使其在高频开关应用中表现优异。此外，该器件的功率耗散为 1.4W，在高温环境下也能保持稳定的工作性能。GS6152-INTE3Z 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于各种恶劣环境条件。最后，其 SOP-8 封装形式提供了较小的占用空间，适合高密度 PCB 设计。

GS6152-INTE3Z 被广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、负载开关、DC-DC 转换器、电池管理系统、LED 照明驱动电路、电机控制以及便携式电子产品等。其优异的性能和低功耗特性使其成为现代电子设备中不可或缺的元件。

Si2302DS, AO3400A, 2N7002, BSS138