类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：20A
　　导通电阻（RDS(on)）：55mΩ
　　栅极电荷（QG）：12nC
　　输入电容（Ciss）：820pF
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TDFN
　　功率耗散（PD）：4.8W

GS6081-INTE3 氮化镓场效应晶体管具有多项显著优势，适用于高效率电源转换系统。其低导通电阻（RDS(on)）为55mΩ，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。同时，其低栅极电荷（QG）和输入电容（Ciss）使其在高频开关应用中表现优异，减少开关损耗并提升系统性能。此外，GS6081-INTE3 采用增强型结构设计，具有良好的热稳定性和较低的热阻，确保在高温环境下仍能稳定工作。
　　该器件还具备极低的寄生电感，有助于减少开关过程中的电压震荡和电磁干扰（EMI），从而提高系统的稳定性和可靠性。由于其氮化镓材料的特性，GS6081-INTE3 能够在更高的频率下运行，从而减小磁性元件的体积，提高功率密度，适用于紧凑型电源系统设计。
　　在封装方面，GS6081-INTE3 采用TDFN封装，符合行业标准，便于与现有电源设计兼容，同时具备良好的散热性能，适用于多种高功率密度应用场景，如服务器电源、电信电源、DC-DC转换器、电机驱动和无线充电系统等。

GS6081-INTE3 主要应用于高效能电源系统，包括但不限于以下领域：
　　1. 高频DC-DC转换器：适用于隔离式和非隔离式DC-DC转换器，特别是在48V总线系统中表现优异。
　　2. 服务器和电信电源：用于高效率、高功率密度的服务器电源和通信设备电源系统。
　　3. 同步整流器：在AC-DC和DC-DC拓扑中作为同步整流元件，提高转换效率。
　　4. 电机驱动和逆变器：适用于高频逆变器和电机控制应用，提供快速开关和低损耗特性。
　　5. 无线充电系统：用于高频率无线充电电路，提升能量传输效率和系统集成度。
　　6. 负载开关和电池管理系统：在高效率电池管理系统和电源管理模块中作为主开关器件。

GS6100-INTE3, EPC2045, LMG5200, SiC MOSFET 100V 20A 系列