GS6080-INTE3Z 是由 Gaisler 研发的一款高性能、低功耗的抗辐射(Radiation-Hardened, Rad-Hard)FT80C51 兼容微控制器,专为航天和高可靠性应用设计。该芯片基于 Intel 80C51 微架构,采用 CMOS 工艺制造,具备出色的抗辐射能力,适合在高能粒子辐射环境中稳定运行。GS6080-INTE3Z 通常用于卫星、航天器、核能设备以及需要高可靠性和长期稳定性的工业控制系统。
架构:80C51 兼容
位数:8位
频率范围:最高可达 50 MHz
电源电压:2.7V - 5.5V
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
封装类型:CQFP/CDIP
引脚数:68
ROM/Flash 容量:可选外部程序存储器接口
RAM 容量:256 字节
定时器/计数器:3 个 16 位定时器
I/O 端口:4 个 8 位 I/O 端口
中断源:8 个优先级中断源
ADC:无
DAC:无
通信接口:UART、I2C、SPI(取决于具体配置)
抗辐射性能:SEL(Single Event Latch-up)免疫,TID(Total Ionizing Dose)耐受性高
GS6080-INTE3Z 的核心特性在于其出色的抗辐射能力和高可靠性。该芯片采用了特殊的抗辐射设计,能够在高能粒子和伽马射线环境中保持稳定运行,适用于低地球轨道(LEO)、地球同步轨道(GEO)以及深空探测等应用场景。
此外,GS6080-INTE3Z 保持了与标准 80C51 微控制器的软件和硬件兼容性,便于开发者快速移植和开发应用。其支持高达 50 MHz 的主频,能够满足中等复杂度的控制任务需求。
芯片的宽温范围(-55°C 至 +125°C)和宽电源电压范围(2.7V - 5.5V)使其适用于各种恶劣环境条件下的应用,如航空航天、军事电子、核能控制系统等。
集成的多个定时器、UART、I2C、SPI 等外设接口,为系统设计提供了丰富的连接选项,提高了系统的灵活性和扩展性。
在功耗方面,GS6080-INTE3Z 采用低功耗设计,在保证高性能的同时,尽可能降低能耗,延长系统的运行时间。
GS6080-INTE3Z 主要应用于对可靠性要求极高的航天和工业控制系统中,包括但不限于以下领域:
? 卫星控制系统
? 航天器和探测器
? 核能设备控制
? 高可靠性工业控制系统
? 军事电子设备
? 抗辐射测试与评估平台
? 航空电子系统
? 高能物理实验设备
? 医疗成像设备中的控制单元
? 深空探测器控制系统
TSC695F, RH80C51, 80C196, STM32RBT6(需注意其非抗辐射设计)