时间：2025/6/14 17:37:41
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SI2321DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术，具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电荷 (Qg)，非常适合用于高频开关应用和需要高效率的场合。其封装形式为微型的 2mm x 3mm MLP 封装，能够有效节省电路板空间。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：42A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：19nC
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：MLP3-1EP(2x3)
SI2321DS-T1-GE3 的主要特点是其超低的导通电阻和优化的栅极电荷，这使其在高频操作中具备较低的传导损耗和开关损耗。此外，由于采用了 Vishay 的 TrenchFET 第三代工艺技术，该器件可以在高温环境下稳定运行，并提供优异的热性能。其小型化的 MLP 封装还特别适合于空间受限的应用场景。
此款 MOSFET 的低 Qg 特性使其在硬开关和软开关应用中均表现优异，例如同步整流、DC/DC 转换器、电机驱动和负载开关等场景。同时，它的高雪崩能力和坚固耐用的设计进一步提升了系统的可靠性。
SI2321DS-T1-GE3 广泛应用于各种功率转换领域，包括但不限于：
1. 笔记本电脑和台式机电源适配器中的 DC/DC 转换
2. 工业设备中的负载开关和电机控制
3. 电信系统中的功率管理模块
4. 高效能同步整流电路
5. 汽车电子系统中的电池管理系统
6. 各种便携式设备的充电解决方案
SI2304DS, SI2318DS, IRF7832
