时间：2025/7/15 20:01:33
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GS6-D4311 是由 GlobalSiC（全球碳化硅）生产的一款高性能碳化硅（SiC）功率器件，通常用于高效率、高频和高温环境下工作的电力电子系统。该器件基于碳化硅半导体材料制造，相较于传统硅基MOSFET或IGBT具有更低的导通损耗和开关损耗，适用于电源转换器、电动汽车充电系统、太阳能逆变器等应用。
类型：碳化硅MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大连续漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：40mΩ
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-247
栅极电荷(Qg)：典型值为 90nC
短路耐受能力：支持
热阻(Rth-jc)：约0.45°C/W
GS6-D4311 的核心优势在于其采用第三代碳化硅（SiC）技术，使得在相同的功率密度下能够实现更高的能效与更快的开关速度。其导通电阻低至40mΩ，有助于减少导通状态下的功耗并提高系统的整体效率。此外，该器件具备优异的热管理性能，在高温环境下依然保持稳定的电气特性和可靠性。
这款MOSFET还具备较强的短路保护能力，能够在异常条件下提供一定程度的自我保护，提升系统的安全性和稳定性。由于其较低的寄生电容以及快速恢复特性，GS6-D4311 在高频开关应用中表现出色，有效减少了外部无源元件的体积和重量，从而缩小整个系统的尺寸并降低设计复杂度。
GS6-D4311 的 TO-247 封装形式广泛应用于工业级电源设备中，具有良好的散热能力和机械强度，适用于苛刻的工作环境。这种封装也有利于与其他功率模块进行集成，并便于使用标准的安装工艺进行焊接和装配。
GS6-D4311 广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统，包括但不限于以下领域：电动汽车充电系统（如车载充电机OBC）、光伏逆变器、储能系统、服务器电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器以及各种类型的DC/DC和AC/DC电源转换装置。由于其卓越的高频性能和低损耗特性，GS6-D4311 特别适合于追求小型化、轻量化和高能效的现代能源基础设施。
Wolfspeed C3M0040120D, Infineon IMZA65R048M1H, STMicroelectronics SCT3040KL
