时间：2025/8/7 7:19:46
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GS3137-08-TC TR3是一款由Giantec Semiconductor制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特点，适用于各种高功率和高频率的应用。GS3137-08-TC TR3采用TO-252（DPAK）封装形式，适合表面贴装技术（SMT）组装，广泛用于电源转换器、DC/DC转换器、电机控制、电池管理系统以及负载开关等应用场景。其高可靠性和热稳定性使其成为工业控制和汽车电子领域中的优选器件。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：120A（在25°C环境温度下）
最大功耗(PD)：100W
导通电阻(RDS(on))：8mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
GS3137-08-TC TR3采用先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了能效。该器件的RDS(on)典型值仅为8mΩ，在高电流条件下仍能保持较低的压降和热量生成，有助于提高整体系统效率。
此外，GS3137-08-TC TR3具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达120A，适用于高功率密度设计。其强大的热稳定性确保在高负载工作条件下仍能保持可靠运行。
该MOSFET的封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的散热性能，并支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。其封装设计优化了热阻，提升了器件在高温环境下的稳定性。
GS3137-08-TC TR3的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于严苛的工业和汽车应用环境。其栅极驱动电压范围宽广，支持常见的3.3V、5V及10V驱动电路，方便与各种控制器或驱动IC配合使用。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够承受瞬时过压和过流情况，增强了系统的稳定性和安全性。其设计符合RoHS环保标准，适用于绿色环保电子产品。
GS3137-08-TC TR3适用于多种高功率和高效率的电源管理系统。常见应用包括DC/DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动电路、电源管理模块以及工业自动化设备。
该器件也广泛用于服务器电源、通信电源、UPS不间断电源、电动工具、电动汽车充电系统等高可靠性要求的场景。其高电流能力和低导通损耗使其成为高频开关电源和高效能转换器的理想选择。
SiSS138N, FDS6680, IRF1324S-7PPBF
