GS2B-T 时间：2025/12/23 21:34:47 阅读：16

GS2B-T是一种高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效电能转换和控制的电子设备中。该型号采用TO-220封装形式，具备低导通电阻和高耐压特性，适合大电流应用环境。
　　GS2B-T的主要特点是其优秀的热性能和电气性能，使其在高频开关应用中表现尤为突出。此外，它还具有快速开关速度和较低的栅极电荷，有助于提高系统效率并降低功耗。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：2A
　　脉冲漏极电流：8A
　　栅源电压：±20V
　　导通电阻：1.5Ω
　　总栅极电荷：35nC
　　开关时间：ton=75ns，toff=49ns
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

GS2B-T采用了先进的制造工艺，具备以下显著特点：
　　1. 高击穿电压：能够承受高达600V的漏源电压，适用于高压环境下的开关操作。
　　2. 低导通电阻：在同类产品中表现出较低的导通电阻，从而减少传导损耗，提升效率。
　　3. 快速开关能力：短的开关时间和低栅极电荷使得该器件非常适合高频开关应用。
　　4. 稳定性与可靠性：即使在极端温度条件下也能保持稳定的性能表现。
　　5. 热性能优越：通过优化的封装设计，提高了散热效果，增强了长期运行时的可靠性。