工作频率范围：2.4GHz - 5.8GHz
　　电源电压：2.7V - 3.6V
　　输出功率：+20dBm（典型值）
　　接收灵敏度：-95dBm @ 1Mbps
　　功耗（发射模式）：120mA @ +20dBm
　　功耗（接收模式）：20mA
　　封装形式：QFN-24
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

GS1M_R1_10001 的主要特性之一是其宽频带支持，能够覆盖2.4GHz至5.8GHz的频段，这使得该芯片适用于多种无线标准和协议。此外，该器件采用了先进的CMOS工艺制造，具有良好的线性度和稳定性，能够在高输出功率下保持较低的失真水平。
　　该芯片内置低噪声放大器（LNA）和功率放大器（PA），可在发射和接收路径中提供高效的信号处理能力。其低功耗设计特别适合电池供电设备，在接收模式下仅消耗约20mA电流，而在发射模式下也仅需120mA电流即可实现+20dBm的输出功率。
　　GS1M_R1_10001 还集成了射频开关和滤波器，减少了外部元件的需求，从而降低了整体系统设计的复杂性。该芯片支持多种调制方式，包括BPSK、QPSK、16-QAM和64-QAM，适用于高数据速率通信应用。
　　在封装方面，GS1M_R1_10001 采用QFN-24封装，尺寸小巧，适合高密度PCB布局，并且符合RoHS环保标准。

GS1M_R1_10001 主要应用于无线通信系统中的射频前端模块，广泛用于Wi-Fi 4/5/6模块、蓝牙5.0+设备、Zigbee网络节点、物联网（IoT）设备以及智能家居和可穿戴设备中的无线连接解决方案。该芯片也可用于工业自动化、远程控制、传感器网络和无人机通信系统等场景，提供稳定可靠的无线传输能力。

GS1M_R1_10001 的替代型号包括 Si4463、nRF24L01+ 和 CC2640R2F 等芯片，这些型号在功能和性能上具有一定相似性，可根据具体应用需求进行选择。