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GS1DW 发布时间 时间:2025/8/15 6:09:00 查看 阅读:7

GS1DW 是一款由 Global Mixed-mode Technology Inc.(GMT)设计和制造的单通道、低侧、高速 MOSFET 驱动器 IC。该器件专为驱动功率 MOSFET 和 IGBT 设计,适用于各类电源转换系统,如 DC-DC 转换器、电机驱动、开关电源(SMPS)以及电池管理系统等应用。GS1DW 具备高驱动能力、快速传输延迟和宽工作电压范围等优势,能够在高频开关条件下稳定工作,是提高功率转换效率的关键组件。

参数

类型:MOSFET驱动器
  通道数:1通道
  配置:低侧驱动器
  驱动能力:拉电流/灌电流 1.2A / 2.5A
  工作电压范围:4.5V 至 18V
  传输延迟时间:典型值 15ns(最大35ns)
  上升/下降时间:典型值 8ns(在1nF负载条件下)
  输入逻辑类型:TTL/CMOS 兼容
  封装形式:SOT23-5

特性

GS1DW 的核心优势在于其高速响应和强大的驱动能力,使其能够在高频开关环境下稳定运行。其低输出阻抗和高电流驱动能力(峰值灌电流可达 2.5A)有助于快速充放电 MOSFET 栅极电荷,从而降低开关损耗,提高系统效率。此外,该器件具有宽广的工作电压范围(4.5V 至 18V),适用于多种电源架构,包括基于 DSP 或微控制器的数字电源系统。
  GS1DW 还内置了欠压锁定(UVLO)功能,当供电电压低于设定阈值时,驱动器将自动关闭输出,以防止 MOSFET 在非理想条件下工作,从而提升系统可靠性。其 TTL/CMOS 输入兼容特性使得与多种控制芯片的接口设计更加灵活简便。
  该器件采用 SOT23-5 小型封装,具备良好的热性能和空间利用率,非常适合空间受限的应用场合,如便携式设备、工业自动化和嵌入式系统。

应用

GS1DW 主要应用于需要高速低侧驱动能力的功率电子系统中,包括但不限于同步整流器、DC-DC 转换器、电机控制器、LED 驱动电源、电池充电器、逆变器以及各类工业和消费类开关电源。其高集成度和优异的性能使其成为替代分立式驱动电路的理想选择,尤其适合对效率和响应速度有较高要求的设计场景。

替代型号

TC4420, FAN3224, MIC5021, IRS2186

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