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GS12070-IBE3 发布时间 时间:2025/8/5 5:32:59 查看 阅读:28

GS12070-IBE3是一款由GSI Technology公司生产的高性能静态随机存取存储器(SRAM)芯片,主要用于需要高速数据访问和低延迟的应用。该芯片采用先进的CMOS技术制造,具备高速读写能力,适用于网络设备、通信系统、工业控制、测试设备等对性能要求较高的场景。

参数

容量:128K x 8位(1Mbit)
  访问时间:7.5ns
  工作电压:3.3V
  封装类型:165引脚塑料PBGA
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  接口类型:异步SRAM
  最大工作频率:133MHz
  功耗:典型值为1.5W

特性

GS12070-IBE3 SRAM芯片具有多项显著特性,首先是其高速访问能力,访问时间低至7.5ns,支持高达133MHz的工作频率,确保了数据处理的高效性。
  其次,该芯片采用低功耗设计,在保持高性能的同时,有效控制能耗,适用于对功耗敏感的嵌入式系统和便携设备。
  此外,GS12070-IBE3采用165引脚的塑料PBGA封装,具备良好的热稳定性和机械可靠性,适合在工业级温度范围内(-40°C至+85°C)稳定工作。
  该芯片还内置了先进的刷新控制机制,确保数据在高速访问下的完整性与稳定性。
  最后,GS12070-IBE3具备优异的抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中保持稳定运行,适合用于通信设备和工业控制系统。

应用

GS12070-IBE3广泛应用于网络设备如路由器和交换机中的缓存存储,用于高速数据包处理;在通信系统中,该芯片可作为高速缓冲存储器,提升系统响应速度;在工业控制设备中,它支持快速数据采集与处理,提升控制精度和效率;同时,该芯片也适用于测试与测量设备、医疗成像设备以及高端嵌入式系统,满足其对高速存储的需求。

替代型号

CY7C1380D-133BZXC, IDT71V416S133BGI, IS61WV10248BLL12BSI

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GS12070-IBE3产品

GS12070-IBE3参数

  • 现有数量317现货
  • 价格1 : ¥882.44000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 功能多路复用器
  • 应用专业视频
  • 标准SMPTE
  • 控制接口GSPI
  • 电压 - 供电1.05V ~ 1.16V
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳196-FBGA
  • 供应商器件封装196-BGA(12x12)