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GS04A24T3V3 发布时间 时间:2025/7/9 11:01:07 查看 阅读:5

GS04A24T3V3 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于沟道增强型器件。该芯片主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率管理的应用场景。它采用先进的制造工艺,在保证低导通电阻的同时,也具备优秀的开关特性和热性能。
  该型号以 TO-252 封装形式提供,适合表面贴装技术(SMT),从而简化了生产流程并提高了可靠性。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:24A
  导通电阻(典型值):3mΩ
  栅极电荷:19nC
  开关时间(典型值):6ns(开启)/ 18ns(关闭)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻使得 GS04A24T3V3 在高电流应用中表现出色,可有效降低功耗。
  2. 快速的开关速度减少了开关损耗,提高了整体效率。
  3. 高额定电流能力使其适用于大功率负载驱动场合。
  4. 具备良好的热稳定性和抗浪涌能力,能够适应恶劣的工作环境。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  6. 封装设计紧凑,易于集成到各种 PCB 板上。

应用

GS04A24T3V3 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和适配器。
  2. 各类 DC-DC 转换器,包括降压、升压和反激式拓扑。
  3. 汽车电子系统中的电机控制和负载切换。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. LED 照明驱动电路。
  6. 其他需要高效功率转换和控制的场景。

替代型号

IRFZ44N, FDP55N10, STP24NF06L

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