时间：2025/7/12 2:50:24
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GRT31CR70J226KE13L 是一款由知名半导体制造商推出的高性能功率 MOSFET 芯片，专为需要高效率和低导通电阻的应用设计。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有卓越的开关性能和热稳定性，适合广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。
该器件封装形式为行业标准的表面贴装类型，支持自动化装配工艺，具备出色的可靠性和耐用性。其内部结构优化了栅极电荷和导通电阻之间的权衡，从而实现更高的系统效率和更低的功耗。
型号：GRT31CR70J226KE13L
类型：N-Channel Power MOSFET
VDS（漏源电压）：70V
RDS(on)（导通电阻）：2.2mΩ（典型值，VGS=10V）
IDS（连续漏极电流）：80A
Qg（总栅极电荷）：45nC
EAS（雪崩能量）：1.5J
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3
GRT31CR70J226KE13L 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，能够显著降低导通损耗并提高系统效率。
2. 优化的栅极电荷 Qg 和开关速度，适用于高频应用。
3. 强大的雪崩能力，确保在异常条件下仍能安全运行。
4. 高温稳定性和宽广的工作温度范围，满足严苛环境下的使用需求。
5. 表面贴装封装设计，简化生产流程并提升可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子系统中。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 电机驱动和逆变器电路中的功率级控制。
3. 工业设备中的负载切换和保护电路。
4. 新能源汽车和混合动力汽车中的电池管理系统（BMS）。
5. 高效 LED 驱动器和功率放大器。
由于其卓越的性能和可靠性，GRT31CR70J226KE13L 成为许多高功率密度应用的理想选择。
GRT31CR70J226KE12L, IRF7739, FDP8880
