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GRT21BR60J335KE13K 发布时间 时间:2025/4/3 15:21:16 查看 阅读:4

GRT21BR60J335KE13K 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的半导体制造工艺。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。此型号为N沟道增强型MOSFET,适合于高频应用场合。
  该芯片设计着重于提升效率和可靠性,在高电流和高电压条件下表现优异。其封装形式通常为表面贴装类型,便于自动化生产和提高系统集成度。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:33A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:85nC
  工作结温范围:-55℃ to +175℃
  封装类型:TO-Leadless (TOLL)

特性

1. 极低的导通电阻,有效减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关能力,支持高达1MHz的工作频率。
  3. 良好的热稳定性,确保在高温环境下依然保持高效运行。
  4. 内置ESD保护电路,增强抗静电能力。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
  6. 可靠的电气隔离,保证安全操作。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器的核心开关元件。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 汽车电子系统的功率管理模块。
  6. 太阳能逆变器中的功率转换部分。

替代型号

GRT21BR60J335KE13H, GRT21AR60J335KE13K

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GRT21BR60J335KE13K参数

  • 现有数量9,930现货
  • 价格1 : ¥3.34000剪切带(CT)10,000 : ¥0.74898卷带(TR)
  • 系列GRT
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容3.3 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定6.3V
  • 温度系数X5R
  • 工作温度-55°C ~ 85°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.055"(1.40mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-