时间：2025/4/3 15:21:16
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GRT21BR60J335KE13K 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体制造工艺。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。此型号为N沟道增强型MOSFET，适合于高频应用场合。
该芯片设计着重于提升效率和可靠性，在高电流和高电压条件下表现优异。其封装形式通常为表面贴装类型，便于自动化生产和提高系统集成度。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：33A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：85nC
工作结温范围：-55℃ to +175℃
封装类型：TO-Leadless (TOLL)
1. 极低的导通电阻，有效减少传导损耗，提升整体效率。
2. 高速开关能力，支持高达1MHz的工作频率。
3. 良好的热稳定性，确保在高温环境下依然保持高效运行。
4. 内置ESD保护电路，增强抗静电能力。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
6. 可靠的电气隔离，保证安全操作。
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统的功率管理模块。
6. 太阳能逆变器中的功率转换部分。
GRT21BR60J335KE13H, GRT21AR60J335KE13K
