时间：2025/7/7 11:35:36
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GRT21BR60J226ME13L 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高效率、高频率的开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合在工业电源、适配器、LED 驱动器以及 DC-DC 转换器等场景中使用。
该芯片的设计优化了热性能和电气性能，从而提高了整体系统的可靠性和效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：22A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：78nC
反向恢复时间：45ns
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
GRT21BR60J226ME13L 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，减少了开关损耗，非常适合高频应用。
3. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的抗静电能力。
4. 小型封装设计，节省 PCB 空间，并具备良好的散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
6. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 的同步整流和初级开关。
2. 电机驱动中的 H 桥和半桥配置。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. LED 照明驱动电路中的电流调节。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
6. 各类 DC-DC 和 DC-AC 转换器模块。
GRT21BR60J226ME13H, IRFZ44N, FDP5500NL
