类型：功率MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大漏极电流（Id）：0.6A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DS/2

BM28B0.6-60DS/2-0.35V(51) MOSFET具备多项优异特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为0.35Ω，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。此外，该器件的漏源耐压为60V，能够在高压环境下稳定工作，增强了系统的可靠性。
　　该MOSFET采用了ROHM先进的沟槽式结构，使得其在小尺寸封装下依然具备优异的电气性能。这种结构不仅提高了电流密度，还优化了热管理性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　BM28B0.6-60DS/2-0.35V(51) 的栅极耐压为±20V，具有良好的抗静电能力和过压保护特性，使其在复杂电磁环境中依然具备稳定的性能。同时，其工作温度范围广泛，从-55°C至+150°C，适用于各种严苛的工作环境，如汽车电子、工业控制和消费类电子产品。
　　此外，该器件采用DS/2封装，具备良好的散热性能，同时便于在PCB上布局和焊接，适用于自动化生产流程，提高了生产效率和装配可靠性。

BM28B0.6-60DS/2-0.35V(51) 主要应用于需要高效能功率管理的电子系统中。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可以作为主开关器件，用于提升转换效率并减少热量产生。在电池供电设备中，它可用于负载开关，实现对不同负载的高效控制，延长电池续航时间。
　　在汽车电子系统中，该器件可用于车载电源管理系统、LED照明驱动以及传感器供电模块，确保在高温和复杂电磁环境中稳定运行。此外，在工业控制设备中，如PLC（可编程逻辑控制器）和工业计算机，BM28B0.6-60DS/2-0.35V(51) 可用于电源管理模块，提高系统整体的能效和可靠性。
　　消费类电子产品方面，该MOSFET适用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理电路，帮助优化功耗并提高设备性能。同时，它还可用于智能家电、智能家居设备以及无线充电系统，满足现代电子产品对高效能和小型化的需求。

Si2301DS, DMN61D8LVT-13, FDN306P