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GRT21BD70J226ME13L 发布时间 时间:2025/7/3 16:48:39 查看 阅读:8

GRT21BD70J226ME13L 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该芯片采用了先进的制程工艺,具有较低的导通电阻和优秀的开关性能,从而提升了整体系统的效率和稳定性。
  这款器件适用于工业和消费电子领域,其封装形式紧凑,便于集成到各种电路设计中。

参数

型号:GRT21BD70J226ME13L
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压:70V
  持续漏极电流:40A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷:85nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GRT21BD70J226ME13L 具有以下显著特性:
  1. 超低导通电阻,有助于降低功耗并提升系统效率。
  2. 快速开关性能,能够满足高频应用需求。
  3. 高度可靠的热设计,确保在极端条件下的稳定运行。
  4. 紧凑型封装,适合空间受限的设计。
  5. 支持大电流输出,适用于高功率应用场景。
  6. 宽工作温度范围,适应各种环境条件。
  7. 内置保护机制,可防止过流和过温损坏。
  这些特性使 GRT21BD70J226ME13L 成为高效率电源管理和电机驱动的理想选择。

应用

GRT21BD70J226ME13L 的主要应用包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器的核心功率元件。
  3. 工业自动化设备中的电机驱动控制。
  4. 太阳能逆变器的关键功率处理单元。
  5. 电动汽车及混合动力汽车的电池管理系统。
  6. 各种消费类电子产品中的高效功率转换模块。
  由于其出色的性能和可靠性,该芯片被广泛用于需要高效率、高功率密度和高温稳定性的场合。

替代型号

GRT21BD70J226ME12L, IRFZ44N, FDP5500

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GRT21BD70J226ME13L参数

  • 现有数量3,000现货
  • 价格1 : ¥3.34000剪切带(CT)3,000 : ¥0.82814卷带(TR)
  • 系列GRT
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容22 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定6.3V
  • 温度系数X7T
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-