类型：齐纳二极管（Zener Diode）
　　封装形式：SOD123
　　齐纳电压（Vz）：10V（在测试电流Iz下）
　　测试电流（Iz）：5mA
　　最大齐纳电流（Izmax）：100mA
　　最大耗散功率（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大反向漏电流（Ir）：100nA（在额定电压以下）
　　齐纳阻抗（Zzt）：90Ω（最大）
　　电压容差：±5%（标准）

BZT52-C10 T/R作为一款高精度、高稳定性的齐纳二极管，具备多项优良特性。首先，其采用SOD123封装，具有较小的体积，便于在高密度PCB布局中使用，适合表面贴装工艺，提升了生产效率与可靠性。其次，该器件的齐纳电压为10V，电压容差为±5%，确保在各种应用中提供稳定的参考电压，适用于对电压精度要求较高的电路。此外，BZT52-C10 T/R具有良好的温度稳定性和较低的动态阻抗，能够在宽温度范围内保持稳定的电压输出，减少因温度变化引起的电压漂移。其最大耗散功率为300mW，可在中等功率应用中安全工作。该器件还具有较低的反向漏电流，在非击穿状态下保持电路的低功耗特性。由于其优异的电气性能和可靠性，BZT52-C10 T/R广泛用于电源稳压、基准电压源、过压保护电路以及各种模拟和数字系统的电压调节场合。

BZT52-C10 T/R齐纳二极管广泛应用于各类电子设备中，作为电压基准或稳压元件。常见应用包括开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统、仪表放大器、电压监测电路、微控制器系统的参考电压源等。在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备中，BZT52-C10 T/R可用于提供稳定的电压参考以确保系统运行的稳定性。在工业控制系统中，它可用于精密测量电路、传感器信号调节、电压比较器参考源等。此外，该器件还可用于通信设备、汽车电子、安防监控系统等领域，为关键电路提供可靠的电压调节和保护。

BZT52C10-7-F（Diodes Inc.）, MMSZ5240B-7-F（Diodes Inc.）, 1N4740A-TAP（Microsemi）, P6KE10（Littelfuse）