时间：2025/5/24 20:50:16
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GRT188R61H225KE13D 是一款高性能的功率MOSFET芯片，属于R系列增强型场效应晶体管。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能电源转换应用。它主要应用于工业、汽车和消费电子领域中的直流-直流转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
该芯片的封装形式为行业标准的表面贴装类型，具备良好的散热性能，能够支持更高的功率密度和更小的系统尺寸。
型号：GRT188R61H225KE13D
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
总功耗(Ptot)：15W
工作温度范围(Ta)：-55°C至+175°C
封装形式：TO-Leadless (TOLL)
GRT188R61H225KE13D 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，可显著降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
3. 良好的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下正常工作。
4. 内置静电防护设计，提高了器件的抗干扰能力。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
此外，其紧凑的封装形式有助于减少PCB空间占用，简化了电路设计。
这款MOSFET广泛应用于多种电力电子设备中，具体包括：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的DC/DC转换器。
3. 工业自动化领域的伺服驱动和逆变器。
4. 消费电子产品中的快速充电适配器。
5. LED照明驱动电路。
由于其出色的电气性能和稳定性，GRT188R61H225KE13D 成为了众多高功率应用场景的理想选择。
GRT188R61H225KE12D, IRFZ44N, FDP5560N
