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GRT188R61H225KE13D 发布时间 时间:2025/5/24 20:50:16 查看 阅读:9

GRT188R61H225KE13D 是一款高性能的功率MOSFET芯片,属于R系列增强型场效应晶体管。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能电源转换应用。它主要应用于工业、汽车和消费电子领域中的直流-直流转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
  该芯片的封装形式为行业标准的表面贴装类型,具备良好的散热性能,能够支持更高的功率密度和更小的系统尺寸。

参数

型号:GRT188R61H225KE13D
  类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):25A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  总功耗(Ptot):15W
  工作温度范围(Ta):-55°C至+175°C
  封装形式:TO-Leadless (TOLL)

特性

GRT188R61H225KE13D 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 良好的热稳定性和可靠性,能够在极端温度条件下正常工作。
  4. 内置静电防护设计,提高了器件的抗干扰能力。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
  此外,其紧凑的封装形式有助于减少PCB空间占用,简化了电路设计。

应用

这款MOSFET广泛应用于多种电力电子设备中,具体包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的DC/DC转换器。
  3. 工业自动化领域的伺服驱动和逆变器。
  4. 消费电子产品中的快速充电适配器。
  5. LED照明驱动电路。
  由于其出色的电气性能和稳定性,GRT188R61H225KE13D 成为了众多高功率应用场景的理想选择。

替代型号

GRT188R61H225KE12D, IRFZ44N, FDP5560N

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GRT188R61H225KE13D参数

  • 现有数量70,758现货
  • 价格1 : ¥2.62000剪切带(CT)4,000 : ¥0.55705卷带(TR)
  • 系列GRT
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容2.2 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X5R
  • 工作温度-55°C ~ 85°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.039"(1.00mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-