时间：2025/6/27 14:37:38
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GRT188R60E226ME13D 是一款高性能的功率MOSFET芯片，属于沟道增强型场效应晶体管。该型号主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等领域。
其设计特点在于低导通电阻（Rds(on)），高效率以及出色的热性能，能够在高频工作条件下提供卓越的功率密度和可靠性。
型号：GRT188R60E226ME13D
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：22mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
IDS（连续漏极电流）：45A
VGS（栅源极电压）：±20V
功耗：200W
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
GRT188R60E226ME13D采用先进的制造工艺，具有以下突出特性：
1. 极低的导通电阻确保在高电流应用中减少功耗并提升效率。
2. 高雪崩能力，能够承受过载和短路条件下的能量冲击。
3. 快速开关速度，支持高频操作，从而减小整体系统尺寸。
4. 热稳定性强，适合长时间高温工作环境。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
这些特性使得该器件成为工业级和消费级电力电子产品的理想选择。
这款MOSFET广泛用于各种需要高效功率转换和控制的应用场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流或降压/升压功能。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 汽车电子中的负载切换与保护。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
GRT188R60E226ME13D凭借其优越的电气性能和可靠性，在上述领域表现出色。
GRT188R60E226ME13D的潜在替代型号包括IRFZ44N、STP45NF06L、AO4406A等。
