时间：2025/5/10 13:16:47
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GRT188C80J226ME13D是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体制造工艺设计。该器件适用于高效率、高频开关应用场合，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。其低导通电阻和快速开关特性使得该芯片在节能和性能优化方面表现出色。
该型号属于沟道增强型MOSFET系列，具备出色的热稳定性和电气性能，能够满足工业级和消费级电子产品的严格要求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：45A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：90nC
总电容：1300pF
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-247
GRT188C80J226ME13D具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下有效减少功率损耗。
2. 快速开关能力，支持高频操作，有助于提升系统效率。
3. 高可靠性设计，确保在极端环境条件下的长期稳定性。
4. 优异的热性能，通过高效的散热结构降低结温。
5. 提供过流保护和短路保护功能，增强系统的安全性。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到各类现代电子设备中。
该芯片适用于多种应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
2. 电动工具及家电产品的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载开关。
4. 新能源汽车的电池管理系统(BMS)和DC-DC转换器。
5. 太阳能逆变器以及其他可再生能源相关设备。
GRT188C80J226ME13D凭借其卓越的性能和可靠性，成为上述领域的理想选择。
GRT188C80J226ME13B
GRT188C80J226ME13C
IRF840
FDP5800
