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G50N100D 发布时间 时间:2025/8/25 0:19:52 查看 阅读:5

G50N100D是一款N沟道功率MOSFET,广泛用于各种高功率和高电压的电子电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和高电流容量的特点,适用于电源管理、电机驱动、逆变器和开关电源等应用场景。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):100V
  栅源电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id):50A
  导通电阻(Rds(on)):最大值为0.022Ω(典型值为0.018Ω)
  功耗(Pd):200W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-247

特性

G50N100D具备一系列出色的电气和热性能特点。首先,其高耐压能力(100V)使其能够承受较高的电压应力,适用于多种高电压应用环境。其次,该MOSFET的导通电阻非常低,通常在0.018Ω左右,最大不超过0.022Ω,这显著降低了导通损耗,提高了能效。此外,该器件能够支持高达50A的漏极电流,使其在高功率应用中表现出色。
  热管理方面,G50N100D采用高功率TO-247封装,具有良好的散热性能,能够在较高功耗条件下保持稳定运行。其最大功耗为200W,适应于需要持续高电流导通的场景。该MOSFET还具备较强的抗过载能力和较高的可靠性,能够在严苛的工业环境中稳定工作。栅源电压范围为±20V,提供了灵活的驱动条件,适用于多种驱动电路设计。

应用

G50N100D被广泛应用于多个领域。在电源管理方面,它可用于高效开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC电源模块中,以实现高能效和小体积设计。在电机驱动系统中,该MOSFET可作为高侧或低侧开关,用于控制直流电机或步进电机的运行,其低导通电阻和高电流能力可有效降低功耗并提升系统效率。此外,它还常用于逆变器设计,例如太阳能逆变器和UPS不间断电源系统中,以提供高效的电力转换功能。
  在工业自动化和控制系统中,G50N100D可用于高电压和高电流负载的开关控制,如电磁阀、继电器和工业加热设备。同时,它也适用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制电路,确保电池组的安全高效运行。由于其高可靠性和优异的电气性能,该MOSFET在汽车电子、新能源和工业控制等领域均有广泛应用。

替代型号

IRFZ44N, FDP50N10, FQA50N10

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