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GRT188C80G475ME01D 发布时间 时间:2025/7/12 2:49:01 查看 阅读:17

GRT188C80G475ME01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、低损耗的应用场景设计。该芯片采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够显著提升电源系统的效率和稳定性。适用于多种工业和消费电子领域。

参数

型号:GRT188C80G475ME01D
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压:80V
  最大连续漏极电流:47A
  导通电阻(典型值):5mΩ
  栅极电荷:29nC
  总电容:1350pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263

特性

GRT188C80G475ME01D 具有卓越的电气性能,其主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可以有效减少传导损耗。
  2. 快速的开关速度和低栅极电荷 (Qg),有助于降低开关损耗。
  3. 高度稳定的动态性能,确保在高频应用中保持高效。
  4. 强大的散热能力,适应高温工作环境。
  5. 内置反向恢复二极管,支持同步整流功能。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  GRT188C80G475ME01D 的这些特性使其成为高性能电源管理应用的理想选择。

应用

该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和逆变器控制。
  3. 工业自动化设备中的功率调节。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
  5. 汽车电子系统中的负载切换。
  6. 通信设备中的电源模块。
  GRT188C80G475ME01D 的高效率和可靠性使其非常适合对功耗和热管理要求较高的场合。

替代型号

GRT188C80G475ME02D, IRF840, FDP5580

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GRT188C80G475ME01D参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GRT
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容4.7 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定4V
  • 温度系数X6S
  • 工作温度-55°C ~ 105°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.035"(0.90mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-