时间：2025/7/12 2:49:01
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GRT188C80G475ME01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率、低损耗的应用场景设计。该芯片采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够显著提升电源系统的效率和稳定性。适用于多种工业和消费电子领域。
型号：GRT188C80G475ME01D
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压：80V
最大连续漏极电流：47A
导通电阻（典型值）：5mΩ
栅极电荷：29nC
总电容：1350pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
GRT188C80G475ME01D 具有卓越的电气性能，其主要特点包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可以有效减少传导损耗。
2. 快速的开关速度和低栅极电荷 (Qg)，有助于降低开关损耗。
3. 高度稳定的动态性能，确保在高频应用中保持高效。
4. 强大的散热能力，适应高温工作环境。
5. 内置反向恢复二极管，支持同步整流功能。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
GRT188C80G475ME01D 的这些特性使其成为高性能电源管理应用的理想选择。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和逆变器控制。
3. 工业自动化设备中的功率调节。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
5. 汽车电子系统中的负载切换。
6. 通信设备中的电源模块。
GRT188C80G475ME01D 的高效率和可靠性使其非常适合对功耗和热管理要求较高的场合。
GRT188C80G475ME02D, IRF840, FDP5580
