时间：2025/7/7 11:34:25
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GRT155R60G475ME13J 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频、高效功率转换场景。该器件采用先进的封装技术，具有低导通电阻和快速开关特性，可显著提升系统效率并减少能量损耗。
其设计特别针对电源管理、通信基础设施以及工业应用中的高性能需求，能够支持高电压工作环境，并具备出色的热性能和可靠性。
型号：GRT155R60G475ME13J
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
额定电压：600V
额定电流：47A
导通电阻：4.7mΩ（典型值，在25°C时）
栅极电荷：80nC（最大值）
反向恢复电荷：无（由于其结构特点）
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-4L
GRT155R60G475ME13J 的主要特点是其卓越的高频性能和低导通损耗，这使得它非常适合于硬开关和软开关拓扑中的应用。以下为具体特性：
1. 高效率：得益于超低导通电阻（4.7mΩ 典型值），该器件在高负载条件下能够保持极高的效率。
2. 快速开关速度：由于其低栅极电荷和优化的设计，开关时间极短，从而降低了开关损耗。
3. 热性能优异：先进封装技术和材料选择确保了良好的散热能力。
此外，这款器件还拥有强大的短路耐受能力和抗雪崩能力，进一步提升了系统的稳定性和安全性。
GRT155R60G475ME13J 广泛应用于多种需要高效功率转换和高频操作的领域：
1. 数据中心电源供应单元（PSU）
2. 电动汽车充电站及车载充电器
3. 太阳能逆变器
4. 工业电机驱动与控制
5. 通信基站电源
6. 不间断电源（UPS）系统
7. 高压DC-DC转换器
凭借其高效的功率处理能力和紧凑的尺寸，该器件成为现代电力电子设备的理想选择。
GRT155R65G50E13K, GRT155R60G50H13P, GRT155R65G475ME13N
