时间：2025/5/15 14:22:49
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DMN2310UTQ 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，采用微型 SOT23-3L 封装形式。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，适用于各种低电压、高效率的电源管理应用。其设计主要用于便携式设备和消费类电子产品中的负载开关、同步整流和电池保护电路。
DMN2310UTQ 在小封装中提供了卓越的电气性能，同时保持了较低的成本和较高的可靠性，因此在现代电子设计中非常受欢迎。
型号：DMN2310UTQ
类型：N沟道MOSFET
封装：SOT23-3L
Vgs(th)（栅极阈值电压）：1.5V 至 3.0V
Rds(on)（导通电阻）：60mΩ @ Vgs=4.5V
最大漏源电压 (Vds)：20V
最大栅源电压 (Vgs)：±8V
最大连续漏极电流 (Id)：1.7A
总功耗 (Ptot)：410mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
DMN2310UTQ 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效降低功率损耗并提升系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频开关应用，例如 DC-DC 转换器和负载开关。
3. 微型 SOT23-3L 封装，节省 PCB 空间，特别适合小型化设计。
4. 高可靠性和长寿命设计，满足严苛的工作环境需求。
5. 宽工作温度范围，确保在极端条件下仍能稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
DMN2310UTQ 广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
2. 同步整流电路，用于提高 DC-DC 转换器的效率。
3. 电池保护电路，防止过流或短路损害。
4. 小功率电机驱动和 LED 驱动。
5. 消费类电子产品中的电源管理模块。
6. 工业控制系统的低电压开关应用。
DMN2311UTQ
DMN2990UFQ
BS170
FQP13N06
