时间：2025/7/9 20:53:36
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GRT155C81C225ME13D是一款高性能的射频功率晶体管，广泛应用于无线通信、雷达系统以及射频能量转换等领域。该器件采用了先进的LDMOS（Laterally Diffused MOS）工艺制造，具有高输出功率、高增益和优异的线性度特点，适合于工作在S波段及更高频率范围内的应用。
型号：GRT155C81C225ME13D
类型：射频功率晶体管
工艺：LDMOS
封装形式：陶瓷气密封装
工作频率范围：700 MHz - 3.5 GHz
最大输出功率：200 W (典型值)
增益：14 dB (典型值)
效率：55% (典型值)
电源电压：28 V
静态电流：待补充
输入匹配阻抗：50 Ω
输出匹配阻抗：50 Ω
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
GRT155C81C225ME13D晶体管采用优化的内部电路设计，能够在高频条件下保持较高的功率输出和增益表现。同时，其良好的线性度和稳定性使其非常适合于现代通信系统中的放大器模块。
器件具有出色的散热性能，并通过增强型封装技术实现了更高的可靠性。此外，它支持宽带操作，能够覆盖多种无线通信标准的需求，包括蜂窝基站、专用无线网络和其他工业应用。这款晶体管还具备较强的耐用性和抗ESD能力，从而确保在恶劣环境下的长期稳定运行。
该元器件主要应用于以下领域：
1. 蜂窝基站射频功放
2. 公共安全与专用无线通信系统
3. 军事雷达及电子对抗设备
4. 医疗成像设备中的射频驱动
5. 工业加热与等离子体控制
6. 测试测量仪器中的信号放大
由于其宽泛的工作频率范围和高功率处理能力，GRT155C81C225ME13D可以满足多场景需求，是现代射频功率应用的理想选择。
GRT155C81C225ME12D
GRT155C81C225ME14D
GRT155C81C225LE13D
