您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GRT1555C2A7R5DA02D

GRT1555C2A7R5DA02D 发布时间 时间:2025/7/3 16:43:30 查看 阅读:8

GRT1555C2A7R5DA02D 是一款高性能的射频功率晶体管,专为无线通信系统中的功率放大器设计。该器件采用先进的LDMOS技术制造,具有高增益、高效率和优异的线性度特性。它通常应用于基站发射机、无线电设备以及其他需要高效射频放大的场合。

参数

型号:GRT1555C2A7R5DA02D
  类型:射频功率晶体管
  封装形式:TO-247-3
  频率范围:700 MHz 至 2700 MHz
  输出功率(P1dB):50 W
  增益:16 dB
  效率:大于55%
  电源电压:28 V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GRT1555C2A7R5DA02D 的主要特点是其在宽频带范围内的稳定性能表现。它结合了高功率密度和良好的散热性能,适合于高可靠性要求的应用场景。
  1. 高线性度:能够减少信号失真,提供清晰的通信质量。
  2. 宽带操作:支持从700 MHz到2700 MHz的频段覆盖,适用于多种无线标准。
  3. 稳定性:即使在极端环境条件下也能保持一致的性能。
  4. 易于集成:具备匹配网络设计简单的特点,便于工程师进行系统级优化。

应用

这款晶体管广泛应用于各种射频功率放大领域,例如:
  1. 移动通信基站:支持LTE、WCDMA、GSM等多种制式的基站功率放大。
  2. 固定无线接入设备:如点对点或点对多点微波链路。
  3. 军用及民用无线电设备:包括航海、航空和陆地移动无线电通信系统。
  4. 测试与测量仪器:用于生成高功率射频信号以满足测试需求。

替代型号

GRT1555C2A7R5DA01D
  GRT1555C2A7R5DB01D
  MRF1555S

GRT1555C2A7R5DA02D推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

GRT1555C2A7R5DA02D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.04890卷带(TR)
  • 系列GRT
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容7.5 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-