时间：2025/6/24 1:39:40
阅读：19
GA1210A181FBLAT31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，专为高频、高效率和高功率密度应用而设计。该器件采用先进的 GaN-on-Silicon 工艺制造，具有极低的导通电阻和快速开关特性，适用于各种电源转换和射频应用。其封装形式为行业标准的表面贴装类型，便于自动化生产和散热管理。
该型号通常用于需要高性能和紧凑设计的场合，例如数据中心电源、电动汽车充电设备、无线充电系统以及工业电源等。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：10A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：90nC
反向恢复电荷：无（由于 GaN 材料特性）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GA1210A181FBLAT31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，支持高达几兆赫兹的工作频率，减少磁性元件尺寸并提升功率密度。
3. 无反向恢复电荷，简化电路设计并进一步降低开关损耗。
4. 高温操作能力，适应苛刻的工作环境，延长使用寿命。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 稳定性和可靠性经过严格测试，确保在长期运行中的卓越表现。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 太阳能逆变器中的功率级模块。
3. 电动汽车车载充电器 (OBC) 和直流快充桩。
4. 数据中心和通信基站的高效电源解决方案。
5. 射频放大器和其他高频电子设备。
6. 无线充电发射端及接收端的功率传输控制。
GAN063-650WSA
GAN101-650DS
IRGB4075DPBF
