GRT1555C1HR16BA02D 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该芯片采用了先进的制程工艺,具备低导通电阻和高耐压的特点,能够有效降低能耗并提升系统效率。
这款MOSFET为N沟道电压控制漏极和源极之间的电流流动,适用于高频开关应用及负载切换领域。
类型:N沟道增强型MOSFET
耐压(Vds):150V
导通电阻(Rds(on)):16mΩ
栅极电荷(Qg):37nC
连续漏极电流(Id):40A
封装形式:TO-263
GRT1555C1HR16BA02D 的核心特性包括以下几点:
1. 低导通电阻设计,Rds(on)仅为16mΩ,可显著减少导通损耗,提高整体效率。
2. 高耐压能力,支持高达150V的工作电压,适合各种高压应用场景。
3. 快速开关性能,栅极电荷Qg仅为37nC,保证了高效的开关速度,降低了开关损耗。
4. 大电流承载能力,连续漏极电流Id可达40A,满足大功率设备的需求。
5. 稳定的热性能表现,结合TO-263封装形式,便于散热管理。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计,适合现代工业生产需求。
GRT1555C1HR16BA02D 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器等。
2. DC-DC转换器,用于汽车电子、通信设备等场合。
3. 电机驱动,例如家用电器中的直流无刷电机控制。
4. 负载开关与保护电路,提供快速且可靠的过流保护功能。
5. 高频逆变器和光伏系统中的功率转换模块。
由于其出色的性能参数,此款MOSFET非常适合需要高效能和低损耗的电力电子应用。
GRT1555C1HR16BA01D, IRFZ44N, FDP150AN