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GRT1555C1HR16BA02D 发布时间 时间:2025/7/1 15:59:43 查看 阅读:24

GRT1555C1HR16BA02D 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该芯片采用了先进的制程工艺,具备低导通电阻和高耐压的特点,能够有效降低能耗并提升系统效率。
  这款MOSFET为N沟道电压控制漏极和源极之间的电流流动,适用于高频开关应用及负载切换领域。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  耐压(Vds):150V
  导通电阻(Rds(on)):16mΩ
  栅极电荷(Qg):37nC
  连续漏极电流(Id):40A
  封装形式:TO-263

特性

GRT1555C1HR16BA02D 的核心特性包括以下几点:
  1. 低导通电阻设计,Rds(on)仅为16mΩ,可显著减少导通损耗,提高整体效率。
  2. 高耐压能力,支持高达150V的工作电压,适合各种高压应用场景。
  3. 快速开关性能,栅极电荷Qg仅为37nC,保证了高效的开关速度,降低了开关损耗。
  4. 大电流承载能力,连续漏极电流Id可达40A,满足大功率设备的需求。
  5. 稳定的热性能表现,结合TO-263封装形式,便于散热管理。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计,适合现代工业生产需求。

应用

GRT1555C1HR16BA02D 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器等。
  2. DC-DC转换器,用于汽车电子、通信设备等场合。
  3. 电机驱动,例如家用电器中的直流无刷电机控制。
  4. 负载开关与保护电路,提供快速且可靠的过流保护功能。
  5. 高频逆变器和光伏系统中的功率转换模块。
  由于其出色的性能参数,此款MOSFET非常适合需要高效能和低损耗的电力电子应用。

替代型号

GRT1555C1HR16BA01D, IRFZ44N, FDP150AN

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GRT1555C1HR16BA02D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格12,821 : ¥0.06263卷带(TR)
  • 系列*
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容-
  • 容差-
  • 电压 - 额定-
  • 温度系数-
  • 工作温度-
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用-
  • 故障率-
  • 安装类型-
  • 封装/外壳-
  • 大小 / 尺寸-
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  • 厚度(最大值)-
  • 引线间距-
  • 引线样式-