时间：2025/6/25 14:36:59
阅读：6
ADTVSHC3N10VU 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。其设计主要面向电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等应用场景，能够在高频率下实现高效能表现。
该型号属于工业级或汽车级产品系列，具有较高的可靠性和稳定性。它的封装形式通常为紧凑型表面贴装器件（SMD），便于自动化生产和高密度电路板布局。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：3.6A
导通电阻（典型值）：45mΩ
栅极电荷：7nC
开关时间：ton=15ns, toff=18ns
结温范围：-55℃ 至 +175℃
ADTVSHC3N10VU 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻确保了在大电流应用中的低功耗。
2. 快速开关速度使得它非常适合高频操作环境，例如开关电源和逆变器。
3. 内置 ESD 保护提高了产品的耐用性，防止静电损坏。
4. 高击穿电压支持更广泛的工作电压范围，增强了系统的安全性。
5. 小尺寸封装简化了 PCB 设计，并减少了整体解决方案的空间需求。
6. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
ADTVSHC3N10VU 的典型应用领域包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换。
2. DC-DC 转换器，用于电压调节和负载控制。
3. 电机驱动器，尤其是小型直流电机和步进电机。
4. 电池保护电路，防止过充或过放。
5. 汽车电子系统中的负载切换和信号传输。
6. 可再生能源设备，如太阳能微逆变器和其他能源管理系统。
IRF7413,
FDS6680,
AON7612
