GRT1555C1H750JA02D是一款高性能的MOSFET功率晶体管,专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制程工艺,具有低导通电阻和快速开关速度,广泛应用于电源管理、电机驱动以及DC-DC转换等领域。其封装形式通常为小型化表面贴装型,有助于提升系统的整体效率并降低热损耗。
这款芯片具备出色的电气性能和可靠性,在高温环境下也能保持稳定的工作状态,适用于各种工业和消费类电子产品。
型号:GRT1555C1H750JA02D
类型:N沟道增强型MOSFET
封装:TO-Leadless (DFN)
Vds(漏源极电压):60V
Rds(on)(导通电阻):3.8mΩ(典型值,Vgs=10V时)
Id(连续漏极电流):75A
Qg(栅极电荷):45nC(最大值)
EAS(雪崩能量):1.2J
fsw(工作频率范围):高达1MHz
结温范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关特性,支持高频操作,适合现代电源转换器的需求。
3. 高电流承载能力,可满足大功率应用场景的要求。
4. 良好的热稳定性,即使在极端温度条件下也能可靠运行。
5. 小型化的无引脚封装设计,节省PCB空间并改善散热性能。
6. 内置ESD保护功能,增强了器件的抗静电能力。
GRT1555C1H750JA02D主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换控制。
4. 汽车电子系统中的DC-DC转换器。
5. 太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的场合。
GRT1555C1H750JA02D没有直接标注的替代型号,但可以根据具体参数选择其他同系列或兼容性产品,例如GRT1555C1H750JA02E、IRF7843、AO4402等。