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GRT1555C1H750JA02D 发布时间 时间:2025/7/1 16:55:46 查看 阅读:13

GRT1555C1H750JA02D是一款高性能的MOSFET功率晶体管,专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制程工艺,具有低导通电阻和快速开关速度,广泛应用于电源管理、电机驱动以及DC-DC转换等领域。其封装形式通常为小型化表面贴装型,有助于提升系统的整体效率并降低热损耗。
  这款芯片具备出色的电气性能和可靠性,在高温环境下也能保持稳定的工作状态,适用于各种工业和消费类电子产品。

参数

型号:GRT1555C1H750JA02D
  类型:N沟道增强型MOSFET
  封装:TO-Leadless (DFN)
  Vds(漏源极电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):3.8mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  Id(连续漏极电流):75A
  Qg(栅极电荷):45nC(最大值)
  EAS(雪崩能量):1.2J
  fsw(工作频率范围):高达1MHz
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关特性,支持高频操作,适合现代电源转换器的需求。
  3. 高电流承载能力,可满足大功率应用场景的要求。
  4. 良好的热稳定性,即使在极端温度条件下也能可靠运行。
  5. 小型化的无引脚封装设计,节省PCB空间并改善散热性能。
  6. 内置ESD保护功能,增强了器件的抗静电能力。

应用

GRT1555C1H750JA02D主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的负载切换控制。
  4. 汽车电子系统中的DC-DC转换器。
  5. 太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的场合。

替代型号

GRT1555C1H750JA02D没有直接标注的替代型号,但可以根据具体参数选择其他同系列或兼容性产品,例如GRT1555C1H750JA02E、IRF7843、AO4402等。

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GRT1555C1H750JA02D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.05564卷带(TR)
  • 系列GRT
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容75 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-