时间：2025/7/11 19:52:52
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GRT1555C1H3R3CA02D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率并降低能耗。
此型号属于沟道增强型 MOSFET，具体设计为 N 沟道，适用于广泛的电子电路中作为开关或放大器组件。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
持续漏极电流（Id）：48A
导通电阻（Rds(on)）：3.0mΩ
总功耗（Ptot）：175W
结温范围（Tj）：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
GRT1555C1H3R3CA02D 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（3.0mΩ），可以有效减少功率损耗，特别适合高电流应用场景。
2. 高开关速度，支持高频操作，从而减小了电磁干扰（EMI）并提高了系统效率。
3. 耐热性能优越，能够在高达 175°C 的结温下稳定工作，确保在极端环境下的可靠性。
4. 内置反向二极管，有助于防止电感负载引起的电压尖峰。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
6. 可靠性高，经过严格的质量控制流程，适合工业级和汽车级应用。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换。
5. 汽车电子系统中的电池管理和 DC-DC 转换。
6. LED 照明驱动器中的恒流控制模块。
GRT1555C1H3R3CA02B, GRT1555C1H3R3CA02E
