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GRT1555C1H241GA02D 发布时间 时间:2025/7/4 23:17:49 查看 阅读:7

GRT1555C1H241GA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为需要高效率和低功耗的应用场景设计。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和出色的开关性能,适用于多种电源管理解决方案。
  该芯片主要应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域,能够有效提高系统的整体能效。

参数

型号:GRT1555C1H241GA02D
  类型:N-Channel MOSFET
  漏源极耐压(Vdss):60V
  连续漏电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  栅极电荷(Qg):40nC
  最大工作结温(Tj):175°C
  封装形式:TO-247

特性

GRT1555C1H241GA02D具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在满负载条件下可显著降低功率损耗。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 良好的热性能,确保在高功率应用场景下的稳定运行。
  4. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  5. 具有优异的短路耐受能力,提高了系统的安全性和稳定性。
  6. 封装形式兼容性强,便于设计集成和散热管理。

应用

这款芯片广泛应用于各种电力电子系统中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  3. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  4. 新能源领域,如太阳能逆变器中的关键功率元件。
  5. 汽车电子系统中的DC/DC转换电路。
  GRT1555C1H241GA02D凭借其卓越的性能,在上述领域内展现了强大的竞争力。

替代型号

GRT1555C1H241GA02B, IRF540N, FDP5500

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GRT1555C1H241GA02D参数

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