时间：2025/3/25 10:59:55
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GRT1555C1H200GA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合需要高效能和高可靠性的应用场景。
这款MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管，能够提供卓越的电流承载能力和电压耐受能力。其封装形式和电气特性使其成为工业、消费电子以及汽车应用的理想选择。
型号：GRT1555C1H200GA02D
类型：N沟道MOSFET
VDS（漏源极击穿电压）：60V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：2mΩ
ID（连续漏极电流）：200A
Qg（栅极电荷）：48nC
VGS(th)（栅极开启电压）：2.5V
fBSOD（体二极管正向电压）：0.7V
封装：TO-247-3
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 超低导通电阻RDS(on)，显著降低导通损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流和电压，确保在严苛环境下的稳定运行。
3. 快速开关速度和低栅极电荷，优化动态性能并减少开关损耗。
4. 内置反向恢复快速体二极管，支持同步整流和续流功能。
5. 采用坚固耐用的封装设计，具备优秀的散热性能。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
7. 支持高频开关操作，适用于现代高效能电源转换应用。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. 直流/直流转换器，如降压或升压电路。
3. 电机驱动控制，例如无刷直流电机（BLDC）驱动。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
5. 汽车电子系统，包括电动助力转向（EPS）、制动系统和电池管理系统（BMS）。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换装置。
7. 高电流负载开关和配电应用。
IRFP2907,
STP200N06,
FDP2956T,
IXYS IXFN200N06T2
