时间：2025/7/9 16:27:08
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GRT1555C1H200FA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该芯片广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类需要高效能量转换的场景中。其出色的电气性能和可靠性使得它成为众多工业及消费电子应用的理想选择。
该型号属于GRT系列，主要面向需要大电流处理能力的应用场合，同时支持高频开关操作，以满足现代电子产品对效率和小型化的需求。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：135A
导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ
总功耗(Ptot)：340W
工作温度范围(Top r.)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247-3
GRT1555C1H200FA02D具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)仅为1.2mΩ），从而降低了传导损耗，提高了系统效率。
2. 支持高达135A的连续漏极电流，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关性能，能够有效降低开关损耗。
4. 高耐压能力（Vds最高可达60V），确保在各种复杂电路环境下稳定运行。
5. 宽泛的工作温度范围（-55℃至+175℃），适应恶劣环境下的使用需求。
6. 先进的封装技术，增强了散热性能和机械稳定性。
这些特性共同保证了该芯片在多种高要求应用中的优异表现。
GRT1555C1H200FA02D主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动器中的功率级元件，用于控制直流无刷电机(BLDC)或其他类型电机。
3. 工业自动化设备中的负载切换与保护电路。
4. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)和逆变器模块。
5. 大功率LED驱动器中的关键功率器件。
6. 各类需要高效率和高可靠性的电力电子变换装置。
其广泛的适用性使其成为众多工程师设计优选方案之一。
GRT1555C1H200FA02B, IRF840, STP135N06LL
