制造商：Infineon Technologies (原 Cypress Semiconductor)
　　系列：SyncBurst? Plus
　　产品类型：SRAM
　　存储容量：8 Mbit
　　存储结构：256K x 32
　　供电电压：3.3V ± 0.3V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装/外壳：165-BGA
　　引脚数：165
　　访问时间：167MHz（周期时间为6ns）
　　接口类型：并行同步
　　时钟频率：最高167 MHz
　　数据速率：167 Mbps
　　工作模式：同步突发读/写
　　字长：32位
　　刷新模式：无需刷新
　　安装方式：表面贴装SMD/SMT
　　最大工作电流：约300mA（典型值）
　　待机电流：≤ 5 mA
　　封装细节：Fine-Pitch BGA (FBGA), 11x15mm

CY7C1380KV33-167BZI具备多项先进特性，使其成为高性能同步SRAM中的优选器件。首先，该芯片采用同步架构设计，所有操作均在系统时钟的上升沿触发，保证了与外部控制器之间的精确时序匹配，减少了信号竞争和延迟不确定性，提升了系统的整体稳定性与可靠性。其次，其支持标准的突发模式操作，包括线性突发和交织突发两种模式，用户可根据具体应用需求进行配置。在突发读写过程中，仅需提供初始地址，后续地址由内部计数器自动生成，极大提高了数据传输效率，特别适用于需要连续大量数据吞吐的应用场景。
　　该器件具有低功耗优化设计，支持多种电源管理模式。当片选信号（CE#）有效而其他控制信号处于非活动状态时，器件可进入自动低功耗待机模式，显著降低静态电流消耗。同时，其核心逻辑基于CMOS工艺，本身具备较低的动态功耗特性，有助于减少系统整体热负荷，提升长期运行稳定性。此外，CY7C1380KV33-167BZI具备优异的抗干扰能力和信号完整性表现，输入输出端口均经过精心设计，支持高速信号传输下的阻抗匹配与噪声抑制。
　　为了增强系统兼容性，该芯片提供全面的控制信号接口，包括时钟使能（CEN）、输出使能（OE#）、写使能（WE#）、字节使能（UB#/LB#）等，允许按字节进行读写控制，提升了数据处理灵活性。其32位宽的数据总线可在单次操作中完成4字节的数据交换，非常适合32位微处理器、DSP或FPGA系统的直接连接。另外，该器件符合工业级温度规范（-40°C至+85°C），可在严苛环境下稳定运行，适用于户外通信设备、车载电子及工业自动化等应用场景。最后，该SRAM无需刷新操作，简化了系统设计复杂度，降低了软件开销，是替代异步SRAM的理想选择。

CY7C1380KV33-167BZI广泛应用于各类高性能电子系统中，尤其是在需要高速数据缓存和实时响应的场合。典型应用包括宽带通信基础设施中的网络路由器与交换机，用于帧缓冲、队列管理和报文暂存；在无线基站和光传输设备中作为协议处理单元的临时存储介质，支持高速数据包的快速存取。此外，该芯片也常用于测试与测量仪器，如逻辑分析仪、示波器和自动测试设备（ATE），利用其高带宽和低延迟特性来捕获和回放高速信号序列。
　　在工业控制系统中，CY7C1380KV33-167BZI可用于PLC（可编程逻辑控制器）、运动控制器和人机界面（HMI）设备中，作为程序执行过程中的中间数据缓冲区，确保控制指令的及时响应。在嵌入式视觉系统和数字图像处理平台中，该SRAM可用于图像帧缓存，配合FPGA或DSP实现视频流的预处理与特征提取。此外，它还可作为高性能计算模块、数据采集系统和雷达信号处理系统中的共享内存使用，满足多处理器间高速数据交换的需求。得益于其工业级温度范围和高可靠性，该器件也被用于航空航天、军事电子和轨道交通等关键领域，承担关键任务的数据暂存功能。

CY7C1380KV33-167AXI
　　CY7C1380DV33-167BZI
　　IS61WFV25636BLL-166BLI