GRT1555C1H150GA02D 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,属于沟槽型功率 MOSFET 系列。该型号专为高效率、低损耗的应用场景设计,适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。其采用了先进的制造工艺,在保证低导通电阻的同时,优化了开关性能和热特性。
该器件通常以 TO-247 或 TO-263 封装形式提供,能够承受较高的电压和电流负载,具备出色的稳定性和可靠性。
型号:GRT1555C1H150GA02D
类型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
最大漏源电压(Vds):150V
最大栅极源极电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):98A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
功耗:250W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247-3L
GRT1555C1H150GA02D 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗,提高系统效率。
2. 快速的开关速度,支持高频应用,有助于减少磁性元件体积。
3. 高雪崩能量能力,增强了在异常条件下的耐受能力。
4. 内置 ESD 保护功能,提升了器件的抗静电能力。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
6. 优异的热性能,确保在高功率应用场景下的长期稳定性。
GRT1555C1H150GA02D 在设计中注重平衡导通损耗和开关损耗,使其成为高效功率转换的理想选择。
GRT1555C1H150GA02D 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器,如降压、升压或升降压拓扑结构。
3. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机(BLDC)或其他类型的电机。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
5. 工业自动化设备中的负载开关或保护电路。
6. 电动车充电器和其他高功率电子设备。
凭借其卓越的性能和可靠性,该器件能够在各种复杂的工作条件下保持稳定运行。
IRFP260N, FDP18N15E, STP100N15F5