PMBD354,215 时间：2025/9/14 10:35:12 阅读：7

PMBD354,215 是一款由 Nexperia（原 Philips Semiconductor）生产的双极性晶体管（BJT）阵列，采用 SOT-23 封装。该器件集成了两个 NPN 型晶体管，具有较高的集成度和稳定性，适用于各种通用开关和放大电路。由于其小型封装和高性能特性，PMBD354,215 常用于便携式电子设备、通信模块、传感器电路和工业控制系统中。

参数

类型：双极性晶体管（NPN x2）
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：100 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　增益（hFE）：110 至 800（根据等级不同）
　　频率响应（fT）：100 MHz
　　封装类型：SOT-23

特性

PMBD354,215 的主要特性之一是其双晶体管集成结构，可以在单个封装中实现两个独立的 NPN 晶体管功能，从而减少 PCB 空间并简化电路设计。每个晶体管的增益（hFE）范围较宽，可满足不同应用对放大倍数的需求。此外，该器件具有良好的温度稳定性和低饱和电压，有助于提高电路的效率和可靠性。
　　该晶体管阵列的最大集电极电流为 100 mA，适用于低至中功率的开关和放大应用。集电极-发射极电压最大可达 100 V，使其适用于中等电压环境下的工作。器件的截止频率为 100 MHz，因此在高频应用中也能表现出色，如射频信号处理和高速开关电路。
　　采用 SOT-23 小型封装，PMBD354,215 非常适合空间受限的便携式设备和高密度 PCB 设计。其封装材料符合 RoHS 标准，支持无铅焊接工艺，符合现代电子制造的环保要求。

应用

PMBD354,215 广泛应用于各种电子设备中，如便携式电子产品、通信模块、传感器接口电路、音频放大器和工业控制电路。其双晶体管结构特别适合用于差分放大器、逻辑电平转换、LED 驱动、继电器控制以及数字开关电路。由于其高频性能良好，该器件也常用于射频前端电路、无线通信模块和信号调理电路中。
　　在工业自动化系统中，PMBD354,215 可用于构建小型继电器驱动电路或光电耦合器的输入级，提高系统的响应速度和可靠性。在消费类电子产品中，该器件可用于控制 LED 显示、风扇转速调节、音频信号放大等功能模块。