时间：2025/7/10 10:52:28
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GRT1555C1H131FA02D是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要应用于开关和功率管理领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高效率以及出色的热稳定性等特性。其设计旨在满足现代电子设备对高效能和小型化的严格要求。
该型号属于沟道增强型MOSFET系列，适用于广泛的工业和消费类电子产品中，包括电源适配器、DC-DC转换器、电池管理系统以及电机驱动电路等。
类型：N-Channel MOSFET
额定电压：60V
额定电流：25A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：38nC
总功耗：75W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
1. 极低的导通电阻，可显著降低功率损耗，提高整体系统效率。
2. 高速开关性能，能够支持高频应用环境，减少电磁干扰（EMI）。
3. 强大的散热能力，适合在高负载条件下长时间稳定运行。
4. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
5. 小型化封装设计，有助于节省PCB空间，便于模块化设计。
6. 良好的电气特性和机械强度，确保在复杂环境下具有优异的表现。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流功能。
2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
3. 电池保护电路及快速充电解决方案。
4. 各类电机驱动控制电路。
5. 工业自动化设备中的负载切换与控制。
6. 汽车电子系统中的电源管理和信号调节。
GRT1555C1H131FA02E, GRT1555C1H131FA02F
