CL21C2R7BBANNNC 是一种多层陶瓷电容器 (MLCC),属于 C0G/NP0 类介质材料的芯片电容器。它广泛应用于高频电路、滤波器、振荡器以及其他对稳定性和可靠性的要求较高的电子设备中。此型号由村田制作所(Murata)生产,具有高精度、低温度漂移和优良的频率特性。
容值:2.7pF
额定电压:50V
封装:0402英寸
介质材料:C0G/NP0
公差:±0.25pF
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
尺寸:约 0.4mm x 0.2mm
CL21C2R7BBANNNC 属于超小型 MLCC 电容器,采用 C0G 介质材料,确保了其在宽温度范围内的稳定性以及优异的频率响应性能。
1. 温度系数极低,适用于对温度敏感的应用场景。
2. 高 Q 值与低 ESR 特性使其非常适合用于 RF 和高频电路。
3. 小型化设计,便于在紧凑型 PCB 上布局。
4. 稳定的电气性能,尤其适合精密滤波、匹配网络和信号耦合应用。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合自动化贴片生产。
该电容器主要应用于无线通信、射频模块、音频设备以及其他需要高性能无源元件的领域。具体应用场景包括:
- 滤波电路中的噪声抑制。
- RF 模块中的匹配网络。
- 高频振荡器的谐振回路。
- 数据传输链路中的信号耦合。
- 精密时钟电路中的负载电容。
此外,由于其体积小、性能稳定,常用于便携式电子设备如手机、平板电脑等。
C2010C2R7B5GACTU
GRM043C80J2R7BN99
C0402C2R7A5GANP