XCM517BA04DRW是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高效率和高可靠性的特点。其封装形式为TO-252(DPAK),适合表面贴装技术(SMT)应用。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:5.6A
导通电阻:4mΩ
栅极电荷:38nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃至150℃
封装类型:TO-252(DPAK)
XCM517BA04DRW具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在满负载条件下能够显著降低功耗。
2. 高效的开关性能,支持高频应用,减少磁性元件体积。
3. 优化的栅极驱动特性,易于与各类控制器搭配使用。
4. 良好的热性能表现,能够在高温环境下长期稳定运行。
5. 内置ESD保护功能,提高系统抗干扰能力。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
XCM517BA04DRW适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器的核心功率级组件。
3. 电机驱动控制电路,用于高效驱动直流无刷电机或步进电机。
4. 负载切换及电池管理系统中的电子开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 消费类电子产品中的电源管理单元(PMU)。
XCM517BA04DRP, IRF540N, FDP5500NL