时间：2025/6/26 18:05:33
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GRT1555C1H130GA02D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，属于沟道增强型场效应晶体管。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。
其封装形式为 DPAK（TO-252），具备良好的散热性能，能够满足高功率密度的设计需求。
型号：GRT1555C1H130GA02D
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：1.3mΩ
栅极电荷(Qg)：35nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DPAK (TO-252)
GRT1555C1H130GA02D 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，仅为 1.3mΩ，可以显著降低导通损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关特性，适合高频应用场景，能够有效减少开关损耗。
3. 高额定漏极电流 Id 达到 40A，支持大功率输出。
4. 工作温度范围宽广，能够在极端环境下稳定运行，适应各种工业级应用需求。
5. 具备良好的热稳定性，通过优化的封装设计提供高效的散热性能。
6. 可靠性高，符合严格的汽车级和工业级认证标准。
GRT1555C1H130GA02D 广泛应用于以下几个领域：
1. 开关电源(SMPS) 设计，例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或其他类型的电动机。
3. 太阳能逆变器中的功率变换模块。
4. 汽车电子设备，如车载充电器、LED 驱动器等。
5. 工业自动化设备中的功率调节和控制部分。
6. 各类需要高效功率转换的消费类电子产品。
GRT1555C1H120GA02D, IRFZ44N, FDP5510
