时间：2025/7/1 15:54:34
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GRT1555C1H111GA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点。其封装形式为行业标准，能够满足紧凑型设计的需求。
型号：GRT1555C1H111GA02D
类型：N-Channel MOSFET
漏源极电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ
栅极电荷(Qg)：70nC
最大工作结温：175°C
封装形式：TO-263
GRT1555C1H111GA02D具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，适用于高频应用场景。
3. 出色的热性能，能够在高负载条件下稳定运行。
4. 强大的短路耐受能力，提升了系统的可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且适合长期使用。
这些特性使得该芯片成为多种电力电子应用的理想选择。
这款MOSFET广泛用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
4. 新能源汽车的辅助电路设计。
5. 其他需要高效功率转换的场合。
GRT1555C1H111GA01D, IRF540N, FDP18N60
