GRT1555C1H102GA02D 是一种基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT)。该器件采用了先进的封装工艺,适用于高频、高效能的应用场景。其设计旨在满足现代电源转换系统对高性能和小尺寸的需求。
这种晶体管具有低导通电阻、快速开关特性和高击穿电压等优势,使其在高频开关电源、DC-DC转换器以及射频放大器等领域有着广泛的应用前景。
型号:GRT1555C1H102GA02D
类型:增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)
最大漏源电压:650 V
最大连续漏极电流:4 A
导通电阻:16 mΩ
栅极电荷:70 nC
输入电容:1200 pF
总栅漏电荷:90 nC
热阻(结到壳):1.3 ℃/W
工作温度范围:-55 ℃ 至 +175 ℃
GRT1555C1H102GA02D 的主要特性包括以下几点:
1. 高效率:得益于低导通电阻和低栅极电荷,使得开关损耗显著降低,从而提高了整体效率。
2. 快速开关:此器件具备快速开关能力,能够在高频下运行,非常适合于高频电源应用。
3. 高耐压能力:650V的额定漏源电压使其能够应对高压应用场景。
4. 热性能优越:较低的热阻保证了器件在高功率下的良好散热性能。
5. 小尺寸封装:与传统硅基MOSFET相比,GRT1555C1H102GA02D 提供更小的封装尺寸,有助于减少整体电路板空间需求。
6. 可靠性高:通过多种测试验证,确保了在极端条件下的可靠工作。
GRT1555C1H102GA02D 在以下领域有广泛应用:
1. 高频开关电源:利用其快速开关特性,可构建高效的开关电源解决方案。
2. DC-DC转换器:在车载电子设备和工业控制领域中,用于实现高效的电压转换。
3. 射频功率放大器:由于其良好的射频性能,可以用于通信系统的功率放大模块。
4. 太阳能逆变器:为太阳能发电系统提供高效可靠的电力转换功能。
5. 电机驱动:适用于需要高效率和高速响应的电机控制系统。
6. 数据中心供电:帮助数据中心实现更加节能高效的电源管理方案。
GRT1555C1H102GA01D, GRT1555C1H102GA03D