您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GRT1555C1H102GA02D

GRT1555C1H102GA02D 发布时间 时间:2025/7/9 10:49:50 查看 阅读:6

GRT1555C1H102GA02D 是一种基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT)。该器件采用了先进的封装工艺,适用于高频、高效能的应用场景。其设计旨在满足现代电源转换系统对高性能和小尺寸的需求。
  这种晶体管具有低导通电阻、快速开关特性和高击穿电压等优势,使其在高频开关电源、DC-DC转换器以及射频放大器等领域有着广泛的应用前景。

参数

型号:GRT1555C1H102GA02D
  类型:增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)
  最大漏源电压:650 V
  最大连续漏极电流:4 A
  导通电阻:16 mΩ
  栅极电荷:70 nC
  输入电容:1200 pF
  总栅漏电荷:90 nC
  热阻(结到壳):1.3 ℃/W
  工作温度范围:-55 ℃ 至 +175 ℃

特性

GRT1555C1H102GA02D 的主要特性包括以下几点:
  1. 高效率:得益于低导通电阻和低栅极电荷,使得开关损耗显著降低,从而提高了整体效率。
  2. 快速开关:此器件具备快速开关能力,能够在高频下运行,非常适合于高频电源应用。
  3. 高耐压能力:650V的额定漏源电压使其能够应对高压应用场景。
  4. 热性能优越:较低的热阻保证了器件在高功率下的良好散热性能。
  5. 小尺寸封装:与传统硅基MOSFET相比,GRT1555C1H102GA02D 提供更小的封装尺寸,有助于减少整体电路板空间需求。
  6. 可靠性高:通过多种测试验证,确保了在极端条件下的可靠工作。

应用

GRT1555C1H102GA02D 在以下领域有广泛应用:
  1. 高频开关电源:利用其快速开关特性,可构建高效的开关电源解决方案。
  2. DC-DC转换器:在车载电子设备和工业控制领域中,用于实现高效的电压转换。
  3. 射频功率放大器:由于其良好的射频性能,可以用于通信系统的功率放大模块。
  4. 太阳能逆变器:为太阳能发电系统提供高效可靠的电力转换功能。
  5. 电机驱动:适用于需要高效率和高速响应的电机控制系统。
  6. 数据中心供电:帮助数据中心实现更加节能高效的电源管理方案。

替代型号

GRT1555C1H102GA01D, GRT1555C1H102GA03D

GRT1555C1H102GA02D推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

GRT1555C1H102GA02D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.12140卷带(TR)
  • 系列*
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容-
  • 容差-
  • 电压 - 额定-
  • 温度系数-
  • 工作温度-
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用-
  • 故障率-
  • 安装类型-
  • 封装/外壳-
  • 大小 / 尺寸-
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)-
  • 引线间距-
  • 引线样式-