时间：2025/7/3 16:36:46
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GRT1555C1H100GA02D 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于沟槽式 MOSFET 系列。该器件主要应用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景，具有低导通电阻和快速开关特性。其封装形式为 TO-263（D2PAK），适用于表面贴装工艺，能够有效提升散热性能并简化 PCB 设计。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：42A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：98nC
反向恢复时间：70ns
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
GRT1555C1H100GA02D 的核心特点是其低导通电阻和优化的开关性能。
1. 低导通电阻（仅 1.5mΩ）可显著降低导通损耗，从而提高整体系统效率。
2. 快速开关能力得益于较低的栅极电荷和反向恢复时间，适合高频应用环境。
3. 高额定电流（42A）使其能够应对大功率负载需求。
4. 宽工作温度范围（-55℃ 至 175℃）确保了器件在极端条件下的稳定性。
5. TO-263 封装设计支持表面贴装技术，简化了生产流程并提升了散热性能。
GRT1555C1H100GA02D 广泛用于需要高效功率转换和大电流处理的应用领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 逆变器
5. 工业自动化设备中的功率管理模块
6. 汽车电子中的负载切换及电池管理系统
7. LED 驱动电路
8. 其他需要高频、高效率功率开关的场合
GRT1555C1H100GA01D, IRFZ44N, FDP17N10
