时间：2025/7/9 13:40:10
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GRT033R61E682KE01D 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种开关应用中。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，可显著提高系统效率并降低功耗。
该型号属于沟道增强型场效应晶体管，能够承受较高的电压和电流，并具备出色的热性能，适合于高频率和高效率的设计需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：33A
导通电阻：2mΩ
栅极电荷：55nC
开关速度：超快
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GRT033R61E682KE01D 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在额定条件下仅为2mΩ，从而大幅减少导通损耗。
2. 快速的开关速度，支持高频应用。
3. 良好的热稳定性，在高温环境下依然能保持高效运行。
4. 高可靠性设计，满足工业级和汽车级应用要求。
5. 小型封装设计，节省电路板空间。
6. 内置ESD保护功能，提升整体系统的鲁棒性。
这款功率MOSFET适用于多种应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动中的桥式电路。
4. 太阳能逆变器的功率模块。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 汽车电子系统中的电池管理单元。
GRT033R61E682JE01D, GRT033R61E682HE01D
