时间：2025/7/11 19:56:01
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GRT033R61E101KE01D 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频开关应用而设计。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于高频DC-DC转换器、电源管理模块以及射频功率放大器等应用场景。
该芯片采用先进的封装工艺，能够有效降低寄生电感和热阻，从而提高整体系统效率并减少热量积累。此外，其内置保护功能确保了在异常工作条件下的稳定性。
型号：GRT033R61E101KE01D
类型：增强型功率场效应晶体管（eGaN FET）
材料：氮化镓（GaN）
导通电阻（Rds(on)）：10mΩ（典型值，25°C）
击穿电压（BVDSS）：650V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
连续漏极电流（Id）：33A（25°C）
最大结温：175°C
封装形式：TO-247-4L
GRT033R61E101KE01D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗。
2. 高频率开关能力，支持MHz级别的开关速度。
3. 内置过流保护和短路保护功能，增强了器件的可靠性。
4. 低输出电容（Coss），进一步优化了高频性能。
5. 良好的热性能表现，可适应高功率密度的设计需求。
6. 符合RoHS标准级应用。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 高效DC-DC转换器，特别是隔离式转换器。
2. 开关电源（SMPS），如PFC升压电路和LLC谐振变换器。
3. 射频功率放大器，用于通信基站和雷达系统。
4. 新能源汽车中的车载充电器和逆变器。
5. 工业设备中的伺服驱动器和电机控制器。
6. 其他需要高性能功率开关的应用场景。
GRT033R61E101HE01D, GRT033R61E101LE01D
