类型：齐纳二极管
　　标称齐纳电压：5.6V
　　容差：±5%（典型）
　　功率耗散：300mW
　　最大齐纳电流：75mA
　　封装形式：SOD-123
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C

LM3Z5V6LT1G 齐纳二极管具有出色的电压稳定性，特别是在5.6V电压下表现出较低的温度系数，使其成为许多精密模拟电路的理想选择。其SOD-123封装体积小巧，便于在现代电子设备中实现紧凑布局。该器件具有良好的动态阻抗特性，能够在负载变化时保持相对稳定的输出电压。
　　此外，LM3Z5V6LT1G 的快速响应时间使其在需要瞬态电压抑制的应用中表现良好，例如用于保护敏感的半导体器件免受静电放电（ESD）或电压尖峰的影响。其额定功耗为300mW，在适当散热条件下可稳定工作于最大电流75mA。
　　该齐纳二极管在制造过程中采用高精度筛选工艺，确保电压容差控制在±5%以内，满足大多数工业标准和设计需求。由于其优异的电气性能和可靠性，LM3Z5V6LT1G 常用于电源管理、参考电压源、ADC/DAC偏置、信号调节电路等领域。

LM3Z5V6LT1G 主要用于以下应用场景：
　　? 电压参考源：为模拟电路、运算放大器或数据转换器（如ADC和DAC）提供稳定的5.6V参考电压。
　　? 电压调节：在低功耗电源设计中作为基准电压，配合晶体管构成简易稳压电路。
　　? 电路保护：作为钳位二极管使用，防止过电压或静电放电损坏敏感电子元件。
　　? 信号调理：在传感器信号处理电路中用于电平偏移或限幅控制。
　　? 电池供电设备：用于便携式设备中的电压监测或基准设定，如手持仪表、无线通信模块和嵌入式控制系统。

BZX84C5V6-7-F, MMSZ5231B-7-F, 1N4735A, ZMM5V6