时间：2025/6/26 18:03:11
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GRT0335C2A200GA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低系统功耗并提升整体性能。
该型号属于沟道增强型MOSFET，适用于高频开关场景。其封装形式为TO-252（DPAK），能够在紧凑的空间内提供高效的电力传输能力。
最大漏源电压：30V
持续漏极电流：47A
导通电阻：2.6mΩ
栅极电荷：48nC
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
1. 极低的导通电阻（2.6mΩ），有助于减少导通损耗，提高系统效率。
2. 高额定电流（47A），适合大功率应用场景。
3. 快速开关速度，可满足高频开关电源设计需求。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。
5. 小巧的TO-252封装，节省PCB空间，同时具备良好的散热性能。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. DC-DC转换器的核心功率器件。
4. 电池保护电路中的负载开关。
5. 汽车电子系统中的功率控制模块。
6. 工业设备中的高效功率管理单元。
GRT0335C2A100GA02D, IRFZ44N, FDP5580
